5月28日，長飛先進武漢基地一期迎來重要里程碑，成功實現量產通線，首片6寸碳化硅晶圓于當日順利下線。這一成果標志著我國第三代半導體產業發展邁出了堅實的一步，將為新能源等多個領域注入新的活力。
長飛先進武漢基地一期占地面積達344畝，致力于打造國內碳化硅產能最大的一體化新高地。這里將匯聚上千位全球碳化硅半導體領域的專業人才，為產業發展提供強大的智力支持。該基地聚焦第三代半導體功率器件的研發與生產，總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資80億元，規劃年產36萬片6英寸碳化硅晶圓。
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